DSEI 2X61-02A พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DSEI 2X61-02A เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DSEI 2X61-02A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DSEI 2X61-02A ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DSEI 2X61-02A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DSEI 2X61-02A
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- DIODE MODULE 200V 71A SOT227B
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48862 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DSEI 2X61-02A.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 2 Independent |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SOT-227B |
| ความเร็ว: | 71A |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| โพลาไรซ์: | SOT-227-4, miniBLOC |
| ชื่ออื่น: | Q917102 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 50ns |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DSEI 2X61-02A |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Array 2 Independent Standard 200V 71A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 50µA @ 200V |
| ลักษณะ: | DIODE MODULE 200V 71A SOT227B |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.08V @ 60A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 200V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DSEI 2X61-02A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
DSEI20-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 17A TO220AC | การสอบสวน |
 |
DSEE55-24N1F | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC | การสอบสวน |
|
DSEE8-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 10A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
|
DSEE15-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 15A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
|
DSEE29-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 30A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
|
DSEI12-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC | การสอบสวน |
 |
DSEI120-12A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247AD | การสอบสวน |
|
DSEI120-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 77A TO247AD | การสอบสวน |
|
DSEE15-12CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 15A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
 |
DSEI19-06AS-TUB | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | การสอบสวน |
|
DSEI12-10A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC | การสอบสวน |
|
DSEI19-06AS | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AA | การสอบสวน |
|
DSEE29-12CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 30A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
|
DSEI12-06A | IXYS Corporation | DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC | การสอบสวน |
|
DSEE6-06CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 600V 6A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
 |
DSEE30-12A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247AD | การสอบสวน |
|
DSEC60-12A | IXYS Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247AD | การสอบสวน |
 |
DSEI2X101-06A | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A SOT227B | การสอบสวน |
|
DSEE8-08CC | IXYS Corporation | DIODE ARRAY 800V 10A ISOPLUS220 | การสอบสวน |
|
DSEI2X101-06P | IXYS Corporation | DIODE MODULE 600V 96A ECO-PAC2 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด