DS3904U-020+T&R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DS3904U-020+T&R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DS3904U-020+T&R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DS3904U-020+T&R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DS3904U-020+T&R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DS3904U-020+T&R
- ผู้ผลิต:
- Maxim Integrated
- ลักษณะ:
- IC POT NV TRIPLE 128POS 8-USOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 46206 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DS3904U-020+T&R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| ความอดทน: | - |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (ชนิด): | 123 ppm/°C |
| เรียวเล็ก: | Linear |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-uMAX |
| ชุด: | - |
| ความต้านทาน - Wiper (Ohms) (Typ): | - |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 20k |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| ชื่ออื่น: | DS3904U-020+T&R-ND DS3904U-020+TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนก๊อก: | 128 |
| จำนวนแผงวงจร: | 3 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | I²C |
| คุณลักษณะเด่น: | Selectable Address |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Digital Potentiometer 20k Ohm 3 Circuit 128 Taps I²C Interface 8-uMAX |
| องค์ประกอบ: | Rheostat |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DS3904 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DS3904U-020+T&R
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่