DS30BA101SQE/NOPB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DS30BA101SQE/NOPB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DS30BA101SQE/NOPB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DS30BA101SQE/NOPB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DS30BA101SQE/NOPB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DS30BA101SQE/NOPB
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC REDRIVER 1CH 3.125GBPS 16WQFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 20654 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DS30BA101SQE/NOPB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| ชนิด: | Buffer, ReDriver |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-WQFN (4x4) |
| การปรับสัญญาณ: | - |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-WQFN Exposed Pad |
| เอาท์พุต: | CML |
| ชื่ออื่น: | 296-40095-6 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินพุต: | CML, LVPECL, LVDS |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Buffer, ReDriver 1 Channel 3.125Gbps 16-WQFN (4x4) |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | - |
| อัตราข้อมูล (สูงสุด): | 3.125Gbps |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 50mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DS30BA101 |
| การประยุกต์ใช้งาน: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DS30BA101SQE/NOPB
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS