DS10BR150TSD/NOPB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DS10BR150TSD/NOPB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DS10BR150TSD/NOPB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DS10BR150TSD/NOPB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DS10BR150TSD/NOPB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DS10BR150TSD/NOPB
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC REDRIVER LVDS 1CH 1GBPS 8WSON
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 43250 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DS10BR150TSD/NOPB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 3.6 V |
| ชนิด: | Buffer, ReDriver |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-WSON (3x3) |
| การปรับสัญญาณ: | - |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-WFDFN Exposed Pad |
| เอาท์พุต: | LVDS |
| ชื่ออื่น: | DS10BR150TSD DS10BR150TSD/NOPBTR DS10BR150TSDNOPB DS10BR150TSDTR DS10BR150TSDTR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินพุต: | CML, LVDS, LVPECL |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Buffer, ReDriver 1 Channel 1Gbps 8-WSON (3x3) |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 380ps |
| อัตราข้อมูล (สูงสุด): | 1Gbps |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 16mA |
| การประจุกระแสไฟ - การป้อนข้อมูล: | 1.7pF |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DS10BR150 |
| การประยุกต์ใช้งาน: | LVDS |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DS10BR150TSD/NOPB
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU