DRQ125-820-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DRQ125-820-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DRQ125-820-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DRQ125-820-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DRQ125-820-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DRQ125-820-R
- ผู้ผลิต:
- Bussmann (Eaton)
- ลักษณะ:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 86.89UH SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59115 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DRQ125-820-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±20% |
| ขนาด / มิติ: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | DRQ |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 513-1295-2 DRQ125-820 DRQ125-820-ND DRQ125-820-R-ND DRQ125-820R |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนคอยส์: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ตัวเหนี่ยวนำ - เชื่อมต่อในชุด: | 347.6µH |
| ตัวเหนี่ยวนำ - ต่อแบบขนาน: | 86.89µH |
| ความสูง: | 0.236" (6.00mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Shielded 2 Coil Inductor Array 347.6µH Inductance - Connected in Series 86.89µH Inductance - Connected in Parallel 128 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 2.05A Nonstandard |
| DC Resistance (DCR) - ซีรี่ส์: | 515 mOhm |
| DC Resistance (DCR) - ขนาน: | 128 mOhm |
| ความอิ่มตัวของปัจจุบัน - ซีรี่ส์: | 1.2A |
| ความอิ่มตัวของปัจจุบัน - ขนาน: | 2.39A |
| การจัดอันดับปัจจุบัน - ซีรี่ส์: | 1.03A |
| พิกัดปัจจุบัน - ขนาน: | 2.05A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DRQ125-820-R
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่