DRQ125-1R5-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DRQ125-1R5-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DRQ125-1R5-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DRQ125-1R5-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DRQ125-1R5-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DRQ125-1R5-R
- ผู้ผลิต:
- Bussmann (Eaton)
- ลักษณะ:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 1.478UH SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34860 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DRQ125-1R5-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±20% |
| ขนาด / มิติ: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | DRQ |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 513-1283-2 DRQ125-1R5 DRQ125-1R5-ND DRQ125-1R5-R-ND DRQ125-1R5R |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนคอยส์: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ตัวเหนี่ยวนำ - เชื่อมต่อในชุด: | 5.912µH |
| ตัวเหนี่ยวนำ - ต่อแบบขนาน: | 1.478µH |
| ความสูง: | 0.236" (6.00mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Shielded 2 Coil Inductor Array 5.912µH Inductance - Connected in Series 1.478µH Inductance - Connected in Parallel 2.9 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 13.8A Nonstandard |
| DC Resistance (DCR) - ซีรี่ส์: | 11.4 mOhm |
| DC Resistance (DCR) - ขนาน: | 2.9 mOhm |
| ความอิ่มตัวของปัจจุบัน - ซีรี่ส์: | 9.15A |
| ความอิ่มตัวของปัจจุบัน - ขนาน: | 18.3A |
| การจัดอันดับปัจจุบัน - ซีรี่ส์: | 6.89A |
| พิกัดปัจจุบัน - ขนาน: | 13.8A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DRQ125-1R5-R
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS