DMPH6050SK3Q-13 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DMPH6050SK3Q-13 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DMPH6050SK3Q-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMPH6050SK3Q-13 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DMPH6050SK3Q-13
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DMPH6050SK3Q-13
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38309 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DMPH6050SK3Q-13.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 1377pF @ 30V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-252 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 50 mOhm @ 7A, 10V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) |
| โพลาไรซ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชื่ออื่น: | DMPH6050SK3Q-13DI |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DMPH6050SK3Q-13 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 25nC @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| คุณสมบัติ FET: | P-Channel |
| ขยายคำอธิบาย: | P-Channel 60V 7.2A (Ta), 23.6A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount TO-252 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | - |
| ลักษณะ: | MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 60V |
| อัตราส่วนการประจุกระแสไฟ: | 1.9W (Ta) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DMPH6050SK3Q-13
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS