DMPH1006UPS-13 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DMPH1006UPS-13 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DMPH1006UPS-13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DMPH1006UPS-13 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DMPH1006UPS-13
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DMPH1006UPS-13
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
- ปริมาณสต็อค:
- 56124 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DMPH1006UPS-13.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (สูงสุด): | ±8V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerDI5060-8 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 15A, 4.5V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.2W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-PowerTDFN |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 6334pF @ 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 124nC @ 8V |
| ประเภท FET: | P-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 12V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | P-Channel 12V 80A (Tc) 3.2W Surface Mount PowerDI5060-8 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DMPH1006UPS-13
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด