DLH-L05D-E1BD-C-NAV8 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DLH-L05D-E1BD-C-NAV8 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DLH-L05D-E1BD-C-NAV8 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DLH-L05D-E1BD-C-NAV8 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DLH-L05D-E1BD-C-NAV8
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DLH-L05D-E1BD-C-NAV8
- ผู้ผลิต:
- All Sensors Corporation
- ลักษณะ:
- SENSOR PRESSURE 5" H2O 18 BIT
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39263 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.68 V ~ 3.6 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-DIP |
| ชุด: | DLH |
| ประเภทแรงดัน: | Differential |
| สไตล์พอร์ต: | Barbed |
| ท่าเรือขนาด: | Male - 0.09" (2.24mm) Tube, Dual |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP (0.620", 15.75mm), Dual Ports, Same Side |
| ประเภทขาออก: | I²C, SPI |
| เอาท์พุต: | 16b |
| ชื่ออื่น: | 442-1155 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 85°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | 0.18 PSI (1.25 kPa) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความดันสูงสุด: | 7.23 PSI (49.83 kPa) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor 0.18 PSI (1.25 kPa) Differential Male - 0.09" (2.24mm) Tube, Dual 16b 8-DIP (0.620", 15.75mm), Dual Ports, Same Side |
| ความถูกต้อง: | ±1.5% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DLH-L05D-E1BD-C-NAV8
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025