DG9432DS-T1-E3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DG9432DS-T1-E3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DG9432DS-T1-E3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DG9432DS-T1-E3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DG9432DS-T1-E3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DG9432DS-T1-E3
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- IC SWITCH DUAL SPST SOT23-8
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59887 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DG9432DS-T1-E3.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 2.7 V ~ 12 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | - |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 35ns, 18ns |
| วงจรสวิตช์: | SPST - NC |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-23-8 |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-23-8 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 30 Ohm |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | 1:1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2 Circuit IC Switch 1:1 30 Ohm SOT-23-8 |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | 1nA |
| crosstalk: | -96dB @ 1MHz |
| Charge Injection: | 0.36pC |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 300 mOhm |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | 7.5pF, 7.8pF |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DG9432 |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DG9432DS-T1-E3
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่