DG529CWN+ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DG529CWN+ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DG529CWN+ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DG529CWN+ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DG529CWN+
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DG529CWN+
- ผู้ผลิต:
- Maxim Integrated
- ลักษณะ:
- IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 18SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29838 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DG529CWN+.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 5 V ~ 30 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | ±4.5 V ~ 20 V |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 1.5µs, 1.5µs |
| วงจรสวิตช์: | SP4T |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 18-SOIC |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 18-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 450 Ohm |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | 4:1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2 Circuit IC Switch 4:1 450 Ohm 18-SOIC |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | 5nA |
| crosstalk: | - |
| Charge Injection: | 4pC |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 27 Ohm |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | 5pF, 25pF |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DG529 |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DG529CWN+
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น