DFLZ11-7 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DFLZ11-7 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DFLZ11-7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DFLZ11-7 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DFLZ11-7
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DFLZ11-7
- ผู้ผลิต:
- Diodes Incorporated
- ลักษณะ:
- DIODE ZENER 11V 1W POWERDI123
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
- ปริมาณสต็อค:
- 35218 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DFLZ11-7.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 11V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.2V @ 200mA |
| ความอดทน: | ±5% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerDI™ 123 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1W |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | POWERDI®123 |
| ชื่ออื่น: | DFLZ11-7DIDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT): | 7 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Zener Diode 11V 1W ±5% Surface Mount PowerDI™ 123 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 4µA @ 8.2V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DFLZ11-7
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์