DEBB33F221KDDB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DEBB33F221KDDB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DEBB33F221KDDB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DEBB33F221KDDB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DEBB33F221KDDB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DEBB33F221KDDB
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- CAP CER 220PF 3.15KV RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 49055 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DEBB33F221KDDB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 3150V (3.15kV) |
| ความอดทน: | 220pF |
| ความหนา (สูงสุด): | B |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.295" (7.50mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" Dia (5.00mm) |
| ชุด: | DEB |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Radial, Disc |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | DEBB33F221KDDB |
| สไตล์ตะกั่ว: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.315" (8.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | High Voltage |
| อัตราความล้มเหลว: | Straight |
| ขยายคำอธิบาย: | 220pF ±10% 3150V (3.15kV) Ceramic Capacitor B Radial, Disc |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±10% |
| ลักษณะ: | CAP CER 220PF 3.15KV RADIAL |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DEBB33F221KDDB
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น