DE2E3SA152MN3AY02F พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DE2E3SA152MN3AY02F เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DE2E3SA152MN3AY02F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DE2E3SA152MN3AY02F ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DE2E3SA152MN3AY02F
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DE2E3SA152MN3AY02F
- ผู้ผลิต:
- Murata Electronics
- ลักษณะ:
- CAP CER 1500PF 400V RAD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50527 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 400V |
| ความอดทน: | ±20% |
| ความหนา (สูงสุด): | - |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | E |
| ขนาด / มิติ: | 0.315" Dia (8.00mm) |
| ชุด: | DE2 |
| สถานะ RoHS: | RoHS Compliant |
| ความนิยม: | X1, Y2 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Box (TB) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Disc |
| ชื่ออื่น: | 490-16240-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| สไตล์ตะกั่ว: | Straight |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.295" (7.50mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.433" (11.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| อัตราความล้มเหลว: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1500pF ±20% 400V Ceramic Capacitor E Radial, Disc |
| ปริมาตร: | 1500pF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Safety |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DE2E3SA152MN3AY02F
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย