DDB6U85N16LHOSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DDB6U85N16LHOSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DDB6U85N16LHOSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DDB6U85N16LHOSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DDB6U85N16LHOSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DDB6U85N16LHOSA1
- ลักษณะ:
- IGBT MODULE 1600V 60A
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30597 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DDB6U85N16LHOSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.44V @ 100A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 1600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ชื่ออื่น: | DDB6U85N16L DDB6U85N16L-ND SP000100242 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 150°C (Max) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 3 Independent |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Array 3 Independent Standard 1600V 60A Chassis Mount Module |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5mA @ 1600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 60A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DDB6U85N16LHOSA1
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่