DAC121C081CIMKX/NOPB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ DAC121C081CIMKX/NOPB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ DAC121C081CIMKX/NOPB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ DAC121C081CIMKX/NOPB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
DAC121C081CIMKX/NOPB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- DAC121C081CIMKX/NOPB
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- DAC 12BIT MICROPWR I2C TSOT23-6
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 25244 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- DAC121C081CIMKX/NOPB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ประปาดิจิตอล: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน, อะนาล็อก: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TSOT-23-6 |
| การตั้งค่าเวลา: | 8.5µs |
| ชุด: | - |
| ประเภทอ้างอิง: | Supply |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ประเภทขาออก: | Voltage - Buffered |
| ชื่ออื่น: | DAC121C081CIMKX DAC121C081CIMKX-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนตัวแปลง D / A: | 1 |
| จำนวนบิต: | 12 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| INL / DNL (LSB): | +2.2/-1.5, +0.18/-0.12 |
| เอาต์พุต Differential: | No |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 12 Bit Digital to Analog Converter 1 TSOT-23-6 |
| ติดต่อข้อมูล: | I²C |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | DAC121C081 |
| สถาปัตยกรรม: | String DAC |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ DAC121C081CIMKX/NOPB
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร