D55342K07B2E40RWSV พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ D55342K07B2E40RWSV เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ D55342K07B2E40RWSV ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ D55342K07B2E40RWSV ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
D55342K07B2E40RWSV
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- D55342K07B2E40RWSV
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES SMD 2.4K OHM 1% 1/4W 1206
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45885 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- D55342K07B2E40RWSV.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | R (0.01%) |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.25W, 1/4W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 1206 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±100ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-55342, RM1206 |
| สถานะ RoHS: | Tray - Waffle |
| โพลาไรซ์: | 1206 (3216 Metric) |
| ชื่ออื่น: | D55342K07B2E40RWSV-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 24 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | D55342K07B2E40RWSV |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.033" (0.84mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Military, Non-Inductive |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 2.4k Ohm ±1% 0.25W, 1/4W Chip Resistor 1206 (3216 Metric) Military, Non-Inductive Thin Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | RES SMD 2.4K OHM 1% 1/4W 1206 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thin Film |
| แบนด์วิดธ์: | 2.4k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ D55342K07B2E40RWSV
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง