D1800N44TVFXPSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ D1800N44TVFXPSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ D1800N44TVFXPSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ D1800N44TVFXPSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
D1800N44TVFXPSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- D1800N44TVFXPSA1
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 4.4KV 1800A
- ปริมาณสต็อค:
- 23343 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- D1800N44TVFXPSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.32V @ 1500A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 4400V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-200AC, K-PUK |
| ชื่ออื่น: | D1800N44T VF D1800N44T VF-ND SP000483144 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -40°C ~ 160°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 4 Weeks |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 4400V 1800A Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100mA @ 4400V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 1800A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ D1800N44TVFXPSA1
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น