CW252016-R47G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CW252016-R47G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CW252016-R47G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CW252016-R47G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CW252016-R47G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CW252016-R47G
- ผู้ผลิต:
- Bourns, Inc.
- ลักษณะ:
- FIXED IND 470NH 470MA 1.19 OHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 31143 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CW252016-R47G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±2% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 1008 (2520 Metric) |
| ขนาด / มิติ: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | CW252016 |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | 45 @ 100MHz |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 1008 (2520 Metric) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Ceramic |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 25MHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 470nH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.071" (1.80mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 450MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 470nH Unshielded Wirewound Inductor 470mA 1.19 Ohm Max 1008 (2520 Metric) |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 1.19 Ohm Max |
| พิกัดกระแส: | 470mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CW252016-R47G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
CW252016-R39G | Bourns, Inc. | FIXED IND 390NH 400MA 1.12 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R27G | Bourns, Inc. | FIXED IND 270NH 500MA 910 MOHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R82J | Bourns, Inc. | FIXED IND 820NH 360MA 2.3 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R33J | Bourns, Inc. | FIXED IND 330NH 500MA 1.05 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R82G | Bourns, Inc. | FIXED IND 820NH 360MA 2.3 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R33G | Bourns, Inc. | FIXED IND 330NH 500MA 1.05 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R22J | Bourns, Inc. | FIXED IND 220NH 500MA 840 MOHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R68J | Bourns, Inc. | FIXED IND 680NH 400MA 1.55 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R39K | Bourns, Inc. | FIXED IND 390NH 400MA 1.12 OHM | การสอบสวน |
 |
CW28B0937 | Leader Tech Inc. | FERRITE 117OHM HINGED 10.21MM | การสอบสวน |
|
CW28B0642 | Leader Tech Inc. | FERRITE 100OHM HINGED 7.60MM | การสอบสวน |
|
CW252016-R56G | Bourns, Inc. | FIXED IND 560NH 400MA 1.33 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R68G | Bourns, Inc. | FIXED IND 680NH 400MA 1.55 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R18J | Bourns, Inc. | FIXED IND 180NH 500MA 770 MOHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R47J | Bourns, Inc. | FIXED IND 470NH 470MA 1.19 OHM | การสอบสวน |
|
CW28B0805 | Leader Tech Inc. | FERRITE CORE 73OHM HINGED 8.80MM | การสอบสวน |
|
CW252016-R27J | Bourns, Inc. | FIXED IND 270NH 500MA 910 MOHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R18G | Bourns, Inc. | FIXED IND 180NH 500MA 770 MOHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R56J | Bourns, Inc. | FIXED IND 560NH 400MA 1.33 OHM | การสอบสวน |
|
CW252016-R39J | Bourns, Inc. | FIXED IND 390NH 400MA 1.12 OHM | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด