CVCO55BE-1950-2150 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CVCO55BE-1950-2150 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CVCO55BE-1950-2150 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CVCO55BE-1950-2150 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CVCO55BE-1950-2150
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CVCO55BE-1950-2150
- ผู้ผลิต:
- Crystek Corporation
- ลักษณะ:
- OSC VCO 1950-2150MHZ SMD .5X.5"
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 40293 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 5V |
| การปรับแต่งแรงดัน (VDC): | 0.3V ~ 4.7V |
| ขนาด / มิติ: | 0.500" L x 0.500" W (12.70mm x 12.70mm) |
| ชุด: | CVCO55 |
| ผลักดัน (MHz / V): | 1 |
| เพาเวอร์ (dBm): | 5 ±2 |
| เฟสเสียงรบกวน Typ (dBc / Hz): | -96 |
| บรรจุภัณฑ์: | Strip |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-QFN, Variant |
| ชื่ออื่น: | 744-1126 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ICC แม็กซ์: | 25mA |
| ความสูง: | 0.150" (3.81mm) |
| ช่วงความถี่: | 1950 ~ 2150MHz |
| ความถี่ - ศูนย์: | 2050MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2050MHz Center Frequency 0.3V ~ 4.7V Voltage Controlled Oscillator 5 ±2 dBm -15 2nd Harmonic, Typ (dBc) |
| 2 ฮาร์โมนิ Typ (dBc): | -15 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CVCO55BE-1950-2150
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น