CTX0.33-1A-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CTX0.33-1A-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CTX0.33-1A-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CTX0.33-1A-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CTX0.33-1A-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CTX0.33-1A-R
- ผู้ผลิต:
- Bussmann (Eaton)
- ลักษณะ:
- INDUCT ARRAY 2 COIL 402NH SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56473 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CTX0.33-1A-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±25% |
| ขนาด / มิติ: | 0.450" L x 0.450" W (11.43mm x 11.43mm) |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | OCTA-PAC® PLUS |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | CTX0-33-1A-R CTX0.33-1A CTX0.33-1A-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนคอยส์: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ตัวเหนี่ยวนำ - เชื่อมต่อในชุด: | 1.61µH |
| ตัวเหนี่ยวนำ - ต่อแบบขนาน: | 402nH |
| ความสูง: | 0.165" (4.19mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Unshielded 2 Coil Inductor Array 1.61µH Inductance - Connected in Series 402nH Inductance - Connected in Parallel 3.7 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 10A Nonstandard |
| DC Resistance (DCR) - ซีรี่ส์: | 15 mOhm Max |
| DC Resistance (DCR) - ขนาน: | 3.7 mOhm Max |
| ความอิ่มตัวของปัจจุบัน - ซีรี่ส์: | 6.25A |
| ความอิ่มตัวของปัจจุบัน - ขนาน: | 12.5A |
| การจัดอันดับปัจจุบัน - ซีรี่ส์: | 4.98A |
| พิกัดปัจจุบัน - ขนาน: | 10A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CTX0.33-1A-R
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง