CSRN2010JTR470 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CSRN2010JTR470 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CSRN2010JTR470 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CSRN2010JTR470 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CSRN2010JTR470
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CSRN2010JTR470
- ผู้ผลิต:
- Stackpole Electronics, Inc.
- ลักษณะ:
- RES SMD 0.47 OHM 5% 1W 2010
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35359 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.CSRN2010JTR470.pdf2.CSRN2010JTR470.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 1W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 2010 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±250ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" L x 0.097" W (5.00mm x 2.45mm) |
| ชุด: | CSRN |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 2010 (5025 Metric) |
| ชื่ออื่น: | CSRN 1 0.47 5% R CSRN10.475%R CSRN10.475%R-ND CSRN10.47JR CSRN10.47JR-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 155°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CSRN2010JTR470 |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.030" (0.75mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Current Sense |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 0.47 Ohm ±5% 1W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Current Sense Thick Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 0.47 OHM 5% 1W 2010 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thick Film |
| แบนด์วิดธ์: | 0.47 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CSRN2010JTR470
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร