CRCW201048K7FKEF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CRCW201048K7FKEF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CRCW201048K7FKEF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CRCW201048K7FKEF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CRCW201048K7FKEF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CRCW201048K7FKEF
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- RES SMD 48.7K OHM 1% 3/4W 2010
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 24089 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CRCW201048K7FKEF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.75W, 3/4W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 2010 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±100ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" L x 0.098" W (5.00mm x 2.50mm) |
| ชุด: | CRCW |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 2010 (5025 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 541-48.7KACTR CRCW2010 100 48K7 1% E02 E3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 155°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 27 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CRCW201048K7FKEF |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.028" (0.70mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Automotive AEC-Q200 |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 48.7k Ohm ±1% 0.75W, 3/4W Chip Resistor 2010 (5025 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | RES SMD 48.7K OHM 1% 3/4W 2010 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thick Film |
| แบนด์วิดธ์: | 48.7k |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CRCW201048K7FKEF
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด