COMMPC8360-10-1652LCR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ COMMPC8360-10-1652LCR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ COMMPC8360-10-1652LCR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ COMMPC8360-10-1652LCR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
COMMPC8360-10-1652LCR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- COMMPC8360-10-1652LCR
- ผู้ผลิต:
- Logic PD, Inc.
- ลักษณะ:
- KIT 128MB DDR 8MB NOR 64MB NAND
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42008 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- COMMPC8360-10-1652LCR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความเร็ว: | 400MHz |
| ขนาด / มิติ: | 3.74" x 3.74" (95mm x 95mm) |
| ชุด: | - |
| RAM ขนาด: | 128KB |
| ชื่ออื่น: | 460-3476 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| โมดูล / ประเภทของคณะกรรมการ: | MPU Core |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| flash ขนาด: | 64MB (NAND), 8MB (NOR) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | - Embedded Module PowerQUICC, MPC8360 400MHz 128KB 64MB (NAND), 8MB (NOR) |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | PowerQUICC, MPC8360 |
| ประเภทตัวเชื่อมต่อ: | - |
| ร่วมประมวลผล: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ COMMPC8360-10-1652LCR
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย