CMD5D13NP-4R7MC พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CMD5D13NP-4R7MC เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CMD5D13NP-4R7MC ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CMD5D13NP-4R7MC ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CMD5D13NP-4R7MC
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CMD5D13NP-4R7MC
- ผู้ผลิต:
- Sumida Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 4.7UH 1.2A 106 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 24267 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CMD5D13NP-4R7MC.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | - |
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.236" L x 0.205" W (6.00mm x 5.20mm) |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | CMD |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 308-2077-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| การเหนี่ยวนำ: | 4.7µH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.059" (1.50mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 4.7µH Unshielded Inductor 1.2A 106 mOhm Max Nonstandard |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 106 mOhm Max |
| พิกัดกระแส: | 1.2A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 1.5A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CMD5D13NP-4R7MC
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย