CM600DU-12NFH พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CM600DU-12NFH เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CM600DU-12NFH ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CM600DU-12NFH ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CM600DU-12NFH
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CM600DU-12NFH
- ผู้ผลิต:
- Powerex, Inc.
- ลักษณะ:
- IGBT MOD HI-FREQ DUAL 600A 600V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30601 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CM600DU-12NFH.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 600V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2.7V @ 15V, 600A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ชุด: | IGBTMOD™ |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1130W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| กทช Thermistor: | No |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 166nF @ 10V |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module Half Bridge 600V 600A 1130W Module |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 600A |
| องค์ประกอบ: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CM600DU-12NFH
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
CM600HA-24H | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 1200V 600A H SER | การสอบสวน |
 |
CM600DY-24S | Powerex, Inc. | IGBT HALF BRIDGE 1200V 600A MOD | การสอบสวน |
|
CM600HU-12H | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 600V 600A H SER | การสอบสวน |
 |
CM600DU-24NF | Powerex, Inc. | IGBT MOD DUAL 1200V 600A NF SER | การสอบสวน |
 |
CM600HA-24A | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES | การสอบสวน |
 |
CM600DX-24S1 | Powerex, Inc. | IGBT MOD NX 600A 1200V DUAL | การสอบสวน |
 |
CM600DU-24NFH | Powerex, Inc. | IGBT MOD DUAL 1200V 600A NFH SER | การสอบสวน |
 |
CM600HU-24F | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 1200V 600A F SER | การสอบสวน |
|
CM600HA-5F | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 250V 600A F SER | การสอบสวน |
|
CM600HU-24H | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 1200V 600A H SER | การสอบสวน |
|
CM600HB-24A | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 1200V 600A A SER | การสอบสวน |
 |
CM600DY-24A | Powerex, Inc. | IGBT MOD DUAL 1200V 600A A SER | การสอบสวน |
|
CM600DU-24F | Powerex, Inc. | IGBT MOD DUAL 1200V 600A F SER | การสอบสวน |
|
CM600HA-12H | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 600V 600A H SER | การสอบสวน |
|
CM600HA-28H | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 1400V 600A H SER | การสอบสวน |
 |
CM600DY-12NF | Powerex, Inc. | IGBT MOD DUAL 600V 600A NF SER | การสอบสวน |
|
CM600DXL-24S | Powerex, Inc. | IGBT MODULE DUAL 600A 1200V | การสอบสวน |
|
CM600DU-5F | Powerex, Inc. | IGBT MOD DUAL 250V 600A F SER | การสอบสวน |
|
CM600E3U-12NFH | Powerex, Inc. | IGBT MODULE NFH 600A 600V | การสอบสวน |
 |
CM600HU-12F | Powerex, Inc. | IGBT MOD SGL 600V 600A F SER | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS