CLF6045T-4R7N-D พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CLF6045T-4R7N-D เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CLF6045T-4R7N-D ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CLF6045T-4R7N-D ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CLF6045T-4R7N-D
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CLF6045T-4R7N-D
- ผู้ผลิต:
- TDK Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 4.7UH 3.2A 23 MOHM SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34490 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CLF6045T-4R7N-D.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | - |
| การใช้: | Shielded |
| ชนิด: | Wirewound |
| ขนาด / มิติ: | 0.244" L x 0.232" W (6.20mm x 5.90mm) |
| ชุด: | CLF-D |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | AEC-Q200 |
| โพลาไรซ์: | Nonstandard |
| ชื่ออื่น: | 445-15124-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 25 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CLF6045T-4R7N-D |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.177" (4.50mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 4.7µH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | - |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 29.9 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 29.9 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±30% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | - |
| ลักษณะ: | FIXED IND 4.7UH 3.2A 23 MOHM SMD |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 100kHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 2.5A |
| พิกัดกระแส: | 3.2A |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CLF6045T-4R7N-D
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง