CDV30FJ431JO3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CDV30FJ431JO3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CDV30FJ431JO3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CDV30FJ431JO3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CDV30FJ431JO3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CDV30FJ431JO3
- ผู้ผลิต:
- Cornell Dubilier Electronics
- ลักษณะ:
- MICA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29455 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CDV30FJ431JO3.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 2kV |
| ความอดทน: | ±5% |
| ขนาด / มิติ: | - |
| ชุด: | CDV30 |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 9 Weeks |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | General Purpose |
| วัสดุอิเล็กทริก: | Mica |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 430pF Mica Capacitor 2kV Radial |
| ปริมาตร: | 430pF |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CDV30FJ431JO3
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025