CDBMHT150-HF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CDBMHT150-HF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CDBMHT150-HF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CDBMHT150-HF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CDBMHT150-HF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CDBMHT150-HF
- ผู้ผลิต:
- Comchip Technology
- ลักษณะ:
- DIODE SCHOTTKY 50V 1A SOD123T
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55915 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- CDBMHT150-HF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1A (DC) |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | SOD-123HT |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | 120pF @ 4V, 1MHz |
| โพลาไรซ์: | SOD-123T |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | CDBMHT150-HF |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Schottky 50V 1A (DC) Surface Mount SOD-123HT |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 500µA @ 50V |
| ลักษณะ: | DIODE SCHOTTKY 50V 1A SOD123T |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 700mV @ 1A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 50V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CDBMHT150-HF
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU