CA-301 4.0000M-C:PBFREE พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ CA-301 4.0000M-C:PBFREE เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ CA-301 4.0000M-C:PBFREE ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ CA-301 4.0000M-C:PBFREE ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
CA-301 4.0000M-C:PBFREE
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- CA-301 4.0000M-C:PBFREE
- ผู้ผลิต:
- Epson
- ลักษณะ:
- CRYSTAL 4.0000MHZ 18PF T/H
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 22930 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MHz Crystal |
| ขนาด / มิติ: | 0.122" Dia x 0.366" L (3.10mm x 9.30mm) |
| ชุด: | CA-301 |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Cylindrical Can, Radial |
| ชื่ออื่น: | 825307 CA-301 4.0000M-C PBFREE CA-301 4.0000M-C: PB FREE CA-301 4.0000M-CPBFREE CA-3014.0000M-C:PBFREE CA-3014.0000M-C:PBFREE-ND CA-3014.0000M-CPBFREE CA3014.0000MC:PBFREE CA30140000MCPBFREE Q21CA3011000800 SER3404 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -10°C ~ 60°C |
| โหมดการทำงาน: | Fundamental |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| ความจุโหลด: | 18pF |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.366" (9.30mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±50ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | ±50ppm |
| ความถี่: | 4MHz |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 150 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 4MHz ±50ppm Crystal 18pF 150 Ohms Cylindrical Can, Radial |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CA-301 4.0000M-C:PBFREE
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง