BZT52-C10J พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BZT52-C10J เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BZT52-C10J ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BZT52-C10J ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BZT52-C10J
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BZT52-C10J
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
- ลักษณะ:
- DIODE ZENER 10V 350MW SOD123
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47100 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BZT52-C10J.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 10V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 900mV @ 10mA |
| ความอดทน: | ±6% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOD-123 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 350mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOD-123 |
| ชื่ออื่น: | 1727-7747-2 934071125118 BZT52-C10J-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT): | 10 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Zener Diode 10V 350mW ±6% Surface Mount SOD-123 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 200nA @ 7V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BZT52-C10J
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BZT52-C15J | Nexperia | DIODE ZENER 14.7V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B9V1J | Nexperia | DIODE ZENER 9.1V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B7V5J | Nexperia | DIODE ZENER 7.5V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B9V1X | Nexperia | DIODE ZENER 9.1V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C12J | Nexperia | DIODE ZENER 12.05V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B8V2X | Nexperia | DIODE ZENER 8.2V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B7V5X | Nexperia | DIODE ZENER 7.5V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C16X | Nexperia | DIODE ZENER 16.2V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B75J | Nexperia | DIODE ZENER 75V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C12X | Nexperia | DIODE ZENER 12.05V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B6V8J | Nexperia | DIODE ZENER 6.8V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C18J | Nexperia | DIODE ZENER 17.95V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B75X | Nexperia | DIODE ZENER 75V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C10X | Nexperia | DIODE ZENER 10V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C16J | Nexperia | DIODE ZENER 16.2V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C13J | Nexperia | DIODE ZENER 13.25V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B6V8X | Nexperia | DIODE ZENER 6.8V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C15X | Nexperia | DIODE ZENER 14.7V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-B8V2J | Nexperia | DIODE ZENER 8.2V 590MW SOD123 | การสอบสวน |
|
BZT52-C11J | Nexperia | DIODE ZENER 11V 350MW SOD123 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่