BU13TD3WG-GTR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BU13TD3WG-GTR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BU13TD3WG-GTR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BU13TD3WG-GTR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BU13TD3WG-GTR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BU13TD3WG-GTR
- ผู้ผลิต:
- LAPIS Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC REG LINEAR 1.3V 200MA 5SSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45320 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.BU13TD3WG-GTR.pdf2.BU13TD3WG-GTR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันตก (สูงสุด): | 0.9V @ 200mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (ต่ำสุด / คงที่): | 1.3V |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด): | - |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 6V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 5-SSOP |
| ชุด: | - |
| คุณสมบัติการป้องกัน: | Over Current, Over Temperature |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-74A, SOT-753 |
| PSRR: | 70dB (1kHz) |
| ประเภทขาออก: | Fixed |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Positive |
| ชื่ออื่น: | BU13TD3WG-GTRCT |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนหน่วยงานกำกับดูแล: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.3V 200mA 5-SSOP |
| ปัจจุบัน - เงียบ (Iq): | 60µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท: | 200mA |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BU13TD3WG-GTR
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด