BTA2008-600E,412 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BTA2008-600E,412 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BTA2008-600E,412 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BTA2008-600E,412 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BTA2008-600E,412
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BTA2008-600E,412
- ผู้ผลิต:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- ลักษณะ:
- TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58588 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BTA2008-600E,412.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด): | 10mA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-92-3 |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | Logic - Sensitive Gate |
| ชุด: | - |
| ประเภท SCR: | 9A, 10A |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| ชื่ออื่น: | 1740-1407-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 125°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BTA2008-600E,412 |
| ขยายคำอธิบาย: | TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 800mA Through Hole TO-92-3 |
| ลักษณะ: | TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 |
| ปัจจุบัน - ทริป (it): | 12mA |
| ปัจจุบัน - Peak Pulse (8 / 20μs): | 600V |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด): | 800mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด): | 2V |
| ติดต่อเสร็จสิ้น: | Single |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BTA2008-600E,412
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น