BT158W-1200TQ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BT158W-1200TQ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BT158W-1200TQ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BT158W-1200TQ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BT158W-1200TQ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BT158W-1200TQ
- ผู้ผลิต:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- ลักษณะ:
- BT158W-1200TQ TO-247
- ปริมาณสต็อค:
- 38869 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BT158W-1200TQ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - วันที่ของรัฐ (Vtm) (สูงสุด): | 1.65V |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง: | 1.2kV |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด): | 1V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247-3 |
| ชุด: | - |
| ประเภท SCR: | Standard Recovery |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
| ชื่ออื่น: | 934070829127 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SCR 1.2kV 126A Standard Recovery Through Hole TO-247-3 |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด): | 126A |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด): | 80A |
| ปัจจุบันเปิด - ปิดของรัฐ (สูงสุด): | 3mA |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM): | 1100A, 1210A |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด): | 200mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด): | 70mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BT158W-1200TQ
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น