BT131-600/DG,412 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BT131-600/DG,412 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BT131-600/DG,412 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BT131-600/DG,412 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BT131-600/DG,412
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BT131-600/DG,412
- ผู้ผลิต:
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- ลักษณะ:
- TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 56141 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BT131-600/DG,412.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง: | 600V |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด): | 1.5V |
| ประเภท Triac: | Logic - Sensitive Gate |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-92-3 |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| ชื่ออื่น: | 1740-1010 1740-1010-2 1740-1010-2-ND 568-11009 568-11009-ND 934065396412 BT131-600/DG,412-ND BT131-600DG412 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 125°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | TRIAC Logic - Sensitive Gate 600V 1A Through Hole TO-92-3 |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (RMS)) (สูงสุด): | 1A |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM): | 12.5A, 13.8A |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด): | 5mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด): | 3mA |
| องค์ประกอบ: | Single |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | BT131 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BT131-600/DG,412
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร