BQ24027DRCT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BQ24027DRCT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BQ24027DRCT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BQ24027DRCT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BQ24027DRCT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BQ24027DRCT
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC LI-ON LINEAR CHRG MGMT 10-SON
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 37719 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BQ24027DRCT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การจัดหา (สูงสุด): | 6.5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-VSON (3x3) |
| ชุด: | bqTINY™-II |
| คุณสมบัติที่สามารถตั้งโปรแกรมได้: | Current, Timer |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-VFDFN Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| จำนวนของเซลล์: | 1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2 (1 Year) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | USB |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Over Temperature |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Charger IC Lithium Ion/Polymer 10-VSON (3x3) |
| ปัจจุบัน - การชาร์จไฟ: | Constant - Programmable |
| ชาร์จปัจจุบัน - แม็กซ์: | 500mA |
| แรงดันไฟแบตเตอรี่: | 4.2V |
| แบตเตอรี่เคมี: | Lithium Ion/Polymer |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | BQ24027 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BQ24027DRCT
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC