BLF8G20LS-140VU พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BLF8G20LS-140VU เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BLF8G20LS-140VU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BLF8G20LS-140VU ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BLF8G20LS-140VU
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BLF8G20LS-140VU
- ผู้ผลิต:
- Ampleon
- ลักษณะ:
- RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58679 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BLF8G20LS-140VU.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 28V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 65V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | LDMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | CDFM6 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 35W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-1244B |
| ชื่ออื่น: | 934068306112 |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | 18.5dB |
| ความถี่: | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 1.81GHz ~ 1.88GHz 18.5dB 35W CDFM6 |
| พิกัดกระแส: | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ: | 900mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BLF8G20LS-140VU
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
BLF8G19LS-170BVU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | การสอบสวน |
 |
BLF8G10LS-300PJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | การสอบสวน |
 |
BLF8G20LS-220U | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | การสอบสวน |
 |
BLF8G10LS-270GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-200V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | การสอบสวน |
 |
BLF8G20LS-140VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | การสอบสวน |
 |
BLF8G20LS-230VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | การสอบสวน |
 |
BLF8G20LS-140GVQ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-200V,115 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-200V | Ampleon | RF FET | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-220J | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-200V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-230VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B | การสอบสวน |
 |
BLF8G10LS-270V,118 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | การสอบสวน |
|
BLF8G19LS-170BV,11 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-140GVJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1244B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-160VJ | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | การสอบสวน |
|
BLF8G10LS-300PU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B | การสอบสวน |
 |
BLF8G10LS-270V,112 | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B | การสอบสวน |
|
BLF8G20LS-160VU | Ampleon | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT1239B | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS