BAV21WSTR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BAV21WSTR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BAV21WSTR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BAV21WSTR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BAV21WSTR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BAV21WSTR
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39167 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BAV21WSTR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1V @ 100mA |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 200V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOD-323 |
| ความเร็ว: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| ชุด: | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 50ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SC-90, SOD-323F |
| ชื่ออื่น: | 1655-1415-6 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -65°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 200V 200mA Surface Mount SOD-323 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100nA @ 100V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 200mA |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | 5pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BAV21WSTR
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง