BAS16VY,165 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ BAS16VY,165 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ BAS16VY,165 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ BAS16VY,165 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
BAS16VY,165
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- BAS16VY,165
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
- ลักษณะ:
- DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30524 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- BAS16VY,165.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 3 Independent |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 6-TSSOP |
| ความเร็ว: | 200mA (DC) |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| โพลาไรซ์: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| ชื่ออื่น: | 934057343165 BAS16VY /T2 BAS16VY /T2-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 4ns |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | BAS16VY,165 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Array 3 Independent Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 500nA @ 80V |
| ลักษณะ: | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.25V @ 150mA |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 100V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -55°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ BAS16VY,165
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด