B82791H2601N1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ B82791H2601N1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ B82791H2601N1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ B82791H2601N1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
B82791H2601N1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- B82791H2601N1
- ผู้ผลิต:
- EPCOS
- ลักษณะ:
- CMC 6.8MH 600MA 2LN TH
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50232 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- B82791H2601N1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 250V |
| ขนาด / มิติ: | 0.602" L x 0.291" W (15.30mm x 7.40mm) |
| ชุด: | B82791 |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Vertical, 4 PC Pin |
| ชื่ออื่น: | 495-5766-2 B82791H2601N1-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | B82791H2601N1 |
| ความเหนี่ยวนำความถี่: | - |
| ความสูง (สูงสุด): | 0.693" (17.60mm) |
| ฟิวส์: | Power Line |
| ลำดับตัวกรอง: | 630 mOhm (Typ) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | 6.8mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 600mA DCR 630 mOhm (Typ) |
| ลักษณะ: | CMC 6.8MH 600MA 2LN TH |
| ความต้านทานกระแสไฟตรง (DCR) (สูงสุด): | 600mA |
| บัตรหนา (mm): | 6.8mH @ 10kHz |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล: | - |
| ความยาวสายเคเบิล - ยังไม่ได้ถ่าย: | 2 |
| ได้รับการอนุมัติ: | ENEC, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ B82791H2601N1
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร