ATSAML21J18B-MUT พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ATSAML21J18B-MUT เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ATSAML21J18B-MUT ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ATSAML21J18B-MUT ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ATSAML21J18B-MUT
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ATSAML21J18B-MUT
- ผู้ผลิต:
- Micrel / Microchip Technology
- ลักษณะ:
- IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64QFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 22427 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ATSAML21J18B-MUT.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | FLASH |
| ชุด: | SAM L21J |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 48MHz |
| ต้องมี: | DMA, POR, PWM, WDT |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | 256KB (256K x 8) |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | I²C, LIN, SCI, SPI, UART/USART, USB |
| ชื่ออื่น: | 1611-ATSAML21J18B-MUTDKR |
| ประเภท oscillator: | A/D 20x12b, D/A 2x12b |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ระบบปฏิบัติการ: | ARM® Cortex®-M0+ |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | ATSAML21J18B-MUT |
| ขยายคำอธิบาย: | ARM® Cortex®-M0+ SAM L21J Microcontroller IC 32-Bit 48MHz 256KB (256K x 8) FLASH |
| ลักษณะ: | IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64QFN |
| ข้อมูล SRAM ไบต์: | - |
| แปลงข้อมูล: | 1.62 V ~ 3.63 V |
| ขนาดหลัก: | 32K x 8 |
| ชุดควบคุม: | Internal |
| การเชื่อมต่อ: | 32-Bit |
| อัตรานาฬิกา: | 51 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ATSAML21J18B-MUT
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU