ATH006A0X-SRZ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ATH006A0X-SRZ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ATH006A0X-SRZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ATH006A0X-SRZ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ATH006A0X-SRZ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ATH006A0X-SRZ
- ผู้ผลิต:
- GE Critical Power
- ลักษณะ:
- DC DC CONVERTER 0.8-3.6V 21W
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 38443 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ATH006A0X-SRZ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 3: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออก 2: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ออกที่ 1: | 0.8 ~ 3.6 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - (ต่ำสุด): | 2.4V |
| แรงดันไฟฟ้า - อินพุต (สูงสุด): | 5.5V |
| ชนิด: | Non-Isolated PoL Module |
| ขนาด / มิติ: | 1.10" L x 0.45" W x 0.29" H (27.9mm x 11.4mm x 7.2mm) |
| ชุด: | Austin MicroLynx™ II |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 21W |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-SMD Module |
| ชื่ออื่น: | 555-1073-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนขาออก: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Remote On/Off |
| อย่างมีประสิทธิภาพ: | 96% |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Non-Isolated PoL Module DC DC Converter 1 Output 0.8 ~ 3.6 V 6A 2.4V - 5.5V Input |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 6A |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Enable, Active Low |
| การประยุกต์ใช้งาน: | ITE (Commercial) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ATH006A0X-SRZ
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร