ASDXRRX010NDAA5 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ASDXRRX010NDAA5 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ASDXRRX010NDAA5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ASDXRRX010NDAA5 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ASDXRRX010NDAA5
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ASDXRRX010NDAA5
- ลักษณะ:
- SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 8DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45209 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.ASDXRRX010NDAA5.pdf2.ASDXRRX010NDAA5.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PCB |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | ASDX |
| ประเภทแรงดัน: | Differential |
| สไตล์พอร์ต: | Barbless |
| ท่าเรือขนาด: | Male - 0.09" (2.31mm) Tube, Dual |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP Module |
| ประเภทขาออก: | Analog Voltage |
| เอาท์พุต: | 0.5 V ~ 4.5 V |
| ชื่ออื่น: | 480-3478 ASDXRRX010NDAA5-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 105°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | ±0.36 PSI (±2.49 kPa) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความดันสูงสุด: | ±0.72 PSI (±4.96 kPa) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor ±0.36 PSI (±2.49 kPa) Differential Male - 0.09" (2.31mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 8-DIP Module |
| ความถูกต้อง: | ±2% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ASDXRRX010NDAA5
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร