ARF468AG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ARF468AG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ARF468AG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ARF468AG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ARF468AG
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ARF468AG
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- RF MOSFET (VDMOS)
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 28046 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ARF468AG.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 150V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 500V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | N-Channel |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-264 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | 300W |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-264-3, TO-264AA |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 31 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | 15dB |
| ความถี่: | 40.68MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet N-Channel 150V 40.68MHz 15dB 300W TO-264 |
| พิกัดกระแส: | 22A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ARF468AG
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
ARF466FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 1000V 13A | การสอบสวน |
 |
ARF465AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | การสอบสวน |
|
ARF463BP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | การสอบสวน |
|
ARF469AG | Microsemi | RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 | การสอบสวน |
 |
ARF500 12R J | Ohmite | RES CHAS MNT 12 OHM 5% 500W | การสอบสวน |
|
ARF463AP1G | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | การสอบสวน |
|
ARF469BG | Microsemi | RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264 | การสอบสวน |
 |
ARF466AG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | การสอบสวน |
|
ARF461CG | Microsemi | RF MOSFET N-CH 1000V TO247 | การสอบสวน |
|
ARF463AG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | การสอบสวน |
|
ARF466BG | Microsemi | RF FET N CH 1000V 13A TO264 | การสอบสวน |
|
ARF463BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247 | การสอบสวน |
 |
ARF477FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | การสอบสวน |
|
ARF475FL | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | การสอบสวน |
|
ARF500 68R J | Ohmite | RES CHAS MNT 68 OHM 5% 500W | การสอบสวน |
|
ARF473 | Microsemi | RF PWR MOSFET 500V 10A | การสอบสวน |
|
ARF476FL | Microsemi | RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR | การสอบสวน |
|
ARF500 16R J | Ohmite | RES CHAS MNT 16 OHM 5% 500W | การสอบสวน |
|
ARF465BG | Microsemi | RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247 | การสอบสวน |
|
ARF468BG | Microsemi | RF MOSFET (VDMOS) | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น