AR0330CM1C00SHAA0-DP2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ AR0330CM1C00SHAA0-DP2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ AR0330CM1C00SHAA0-DP2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AR0330CM1C00SHAA0-DP2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
AR0330CM1C00SHAA0-DP2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- AR0330CM1C00SHAA0-DP2
- ลักษณะ:
- 3 MP 1/3 CIS
- ปริมาณสต็อค:
- 39719 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- AR0330CM1C00SHAA0-DP2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.7 V ~ 2.9 V |
| ชนิด: | CMOS |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 48-CLCC (11.43x11.43) |
| ชุด: | - |
| ขนาดพิกเซล: | 2.2µm x 2.2µm |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 48-CLCC |
| ชื่ออื่น: | AR0330CM1C00SHAA0-DP2OS |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 70°C (TJ) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| เฟรมต่อวินาที: | 60 |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CMOS Image Sensor 2304H x 1536V 2.2µm x 2.2µm 48-CLCC (11.43x11.43) |
| อาร์เรย์พิกเซลที่ใช้งานอยู่: | 2304H x 1536V |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AR0330CM1C00SHAA0-DP2
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น