APTM20DAM05G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTM20DAM05G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTM20DAM05G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTM20DAM05G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APTM20DAM05G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APTM20DAM05G
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 200V 317A SP6
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41342 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.APTM20DAM05G.pdf2.APTM20DAM05G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 10mA |
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SP6 |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 158.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1136W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SP6 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 32 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 27400pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 448nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 200V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 200V 317A (Tc) 1136W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 317A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTM20DAM05G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APTM20DHM16TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 104A SP4 | การสอบสวน |
|
APTM20AM10FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | การสอบสวน |
 |
APTM20AM04FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM120VDA57T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3 | การสอบสวน |
|
APTM20DUM05TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 | การสอบสวน |
|
APTM20DHM20TG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4 | การสอบสวน |
|
APTM20DUM05G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20AM05FG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20DAM08TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | การสอบสวน |
 |
APTM20DUM04G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20AM05FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | การสอบสวน |
|
APTM20DAM10TG | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | การสอบสวน |
|
APTM20DHM10G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20DAM04G | Microsemi | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20DHM16T3G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 | การสอบสวน |
|
APTM20AM06SG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM120UM95FAG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20DHM08G | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 | การสอบสวน |
|
APTM20AM10STG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | การสอบสวน |
|
APTM20AM08FTG | Microsemi | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง