APTDF100H601G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APTDF100H601G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APTDF100H601G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APTDF100H601G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APTDF100H601G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APTDF100H601G
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47072 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.APTDF100H601G.pdf2.APTDF100H601G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | 600V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 2V @ 100A |
| เทคโนโลยี: | Standard |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SP1 |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SP1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 32 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Single Phase |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Chassis Mount SP1 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 250µA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 135A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APTDF100H601G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APTDF100H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
 |
APTDC40H1201G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | การสอบสวน |
|
APTDF30H601G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | การสอบสวน |
|
APTDF30H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | การสอบสวน |
 |
APTDC40H601G | Microsemi | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | การสอบสวน |
 |
APTDF400AA120G | Microsemi | DIODE MODULE 1.2KV 470A SP6 | การสอบสวน |
|
APTDC902U601G | Microsemi | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | การสอบสวน |
|
APTDF100H1201G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP1 | การสอบสวน |
|
APTDC20H1201G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | การสอบสวน |
|
APTDF400AA100G | Microsemi | DIODE MODULE 1KV 500A SP6 | การสอบสวน |
|
APTDF100H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDF200H120G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | การสอบสวน |
|
APTDF100H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDF200H170G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | การสอบสวน |
|
APTDF200H100G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | การสอบสวน |
 |
APTDF200H60G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | การสอบสวน |
|
APTDF100H60G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDF100H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP4 | การสอบสวน |
|
APTDC20H601G | Microsemi | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | การสอบสวน |
|
APTDF200H20G | Microsemi | DIODE MODULE FULL BRIDGE SP6 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร