ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > APT30GS60BRDLG
APT30GS60BRDLG
APT30GS60BRDLG
รุ่นผลิตภัณฑ์:
APT30GS60BRDLG
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
IGBT 600V 54A 250W TO247
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
31553 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
APT30GS60BRDLG.pdf
การสอบสวน

บทนำ

APT30GS60BRDLG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT30GS60BRDLG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT30GS60BRDLG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT30GS60BRDLG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.15V @ 15V, 30A
ทดสอบสภาพ:400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:16ns/360ns
การสลับพลังงาน:570µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:250W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:145nC
คำอธิบายโดยละเอียด:IGBT NPT 600V 54A 250W Through Hole TO-247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):113A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):54A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT30GS60BRDLG

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT30F60J Image APT30F60J Microsemi MOSFET N-CH 600V 31A SOT-227 การสอบสวน
APT30GS60KRG Microsemi IGBT 600V 54A 250W TO220 การสอบสวน
APT30GT60KRG Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO220 การสอบสวน
APT30GN60BG Image APT30GN60BG Microsemi IGBT 600V 63A 203W TO247 การสอบสวน
APT30GN60BDQ2G Image APT30GN60BDQ2G Microsemi IGBT 600V 63A 203W TO247 การสอบสวน
APT30M40JVFR Image APT30M40JVFR Microsemi MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 การสอบสวน
APT30GF60JU2 Image APT30GF60JU2 Microsemi IGBT 600V 58A 192W SOT227 การสอบสวน
APT30GF60JU3 Image APT30GF60JU3 Microsemi IGBT 600V 58A 192W SOT227 การสอบสวน
APT30GS60BRDQ2G Image APT30GS60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 54A 250W SOT227 การสอบสวน
APT30GT60BRG Image APT30GT60BRG Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO247 การสอบสวน
APT30M40B2VFRG Image APT30M40B2VFRG Microsemi MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX การสอบสวน
APT30GP60JDQ1 Image APT30GP60JDQ1 Microsemi IGBT 600V 67A 245W SOT227 การสอบสวน
APT30M19JVR Image APT30M19JVR Microsemi MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 การสอบสวน
APT30GT60BRDQ2G Image APT30GT60BRDQ2G Microsemi IGBT 600V 64A 250W TO247 การสอบสวน
APT30GP60B2DLG Image APT30GP60B2DLG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TMAX การสอบสวน
APT30GP60BDQ1G Image APT30GP60BDQ1G Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247 การสอบสวน
APT30M19JVFR Image APT30M19JVFR Microsemi MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227 การสอบสวน
APT30M40JVR Image APT30M40JVR Microsemi MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227 การสอบสวน
APT30GP60LDLG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO264 การสอบสวน
APT30GP60BG Image APT30GP60BG Microsemi IGBT 600V 100A 463W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest