APT1204R7KFLLG พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APT1204R7KFLLG เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APT1204R7KFLLG ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APT1204R7KFLLG ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APT1204R7KFLLG
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APT1204R7KFLLG
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44735 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.APT1204R7KFLLG.pdf2.APT1204R7KFLLG.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220 [K] |
| ชุด: | POWER MOS 7® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 4.7 Ohm @ 1.75A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 135W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 715pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 1200V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | N-Channel 1200V 3.5A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220 [K] |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APT1204R7KFLLG
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
APT12031JFLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
APT11GF120BRDQ1G | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO247 | การสอบสวน |
 |
APT11N80KC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 | การสอบสวน |
|
APT12057JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT12057B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247 | การสอบสวน |
 |
APT1211A | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4SMD | การสอบสวน |
|
APT11F80B | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT12067B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT1201R4BFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247 | การสอบสวน |
|
APT11GP60BDQBG | Microsemi | IGBT 600V 41A 187W TO247 | การสอบสวน |
|
APT11GF120KRG | Microsemi | IGBT 1200V 25A 156W TO220 | การสอบสวน |
|
APT12067JLL | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227 | การสอบสวน |
 |
APT1211 | Panasonic | OPTOISOLATOR 5KV TRIAC 4DIP | การสอบสวน |
|
APT12067B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX | การสอบสวน |
 |
APT11F80S | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK | การสอบสวน |
 |
APT12057LFLLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264 | การสอบสวน |
|
APT12080JVR | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP | การสอบสวน |
|
APT12057B2LLG | Microsemi | MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX | การสอบสวน |
|
APT11N80BC3G | Microsemi | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด