APS11205LUAA พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ APS11205LUAA เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ APS11205LUAA ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ APS11205LUAA ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
APS11205LUAA
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- APS11205LUAA
- ผู้ผลิต:
- Allegro MicroSystems, LLC.
- ลักษณะ:
- 5V AUTO GRADE HALL EFFECT LATCH
- ปริมาณสต็อค:
- 38711 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- APS11205LUAA.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.8 V ~ 5.5 V |
| ทดสอบสภาพ: | -40°C ~ 150°C |
| เทคโนโลยี: | Hall Effect |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 3-SIP |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q100 |
| ช่วงการตรวจวัด: | 3.5mT Trip, 2.5mT Release |
| โพลาไรซ์: | South Pole |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 3-SSIP |
| ประเภทขาออก: | Open Drain |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| ฟังก์ชัน: | Unipolar Switch |
| คุณลักษณะเด่น: | Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Digital Switch Unipolar Switch Open Drain Hall Effect 3-SIP |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 4mA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (สูงสุด): | 5mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ APS11205LUAA
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด